Pattern Etch(线路蚀刻能力):
金刻公司设备能够加工1-mil (25 μm) 线宽 / 线距。蚀刻因子可达4:1 至5:1. 蚀刻变异低于5%.
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1-mil (25 μm) 线 宽 / 线距干膜, 200X
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1-mil (25 μm)线宽/ 线距铜线, 500X
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1-mil (25 μm)线宽/ 线距铜线
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蚀刻地图: 测量线数: 2,278,695 平均线宽: 0.93 mil; 标准偏差(σ): 0.040 mil
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1-mil (25 μm) 线宽/ 线距铜线测
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Pattern Etching 1-mil (25 μm)线宽/ 线距铜线剖切面 ![]() |
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Half Etch(半蚀刻能力): 设备能够将 1/2 oz 铜膜减薄为 1/4 oz 和 1/8 oz 并保持减薄后的铜膜厚度变异低于 10%.
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